IRF7341PBF-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单型号IRF7341PbF 的N+N沟道MOS管采用SOP-8封装，专为高效能、大电流应用设计。该器件的最大工作电压VDSS高达60V，连续电流ID能力为6.5A，胜任高压大电流环境下的稳定运行。导通电阻RD(on)低至32mR，有效减少功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域，是工程师追求高性能、节能解决方案的理想MOS管选择。
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻48 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻48 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 数量 | 2个N沟道 |