Infineon TechnologiesГермания
DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1.2 kV
Средний выпрямленный ток25 A
Прямое падение напряжения2.05 VМакс. · 25 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5.2 µA @ 1200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.05 V @ 25 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C~175°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Другое | |
| Base Product Number | IDC15D120 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Series | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |