Поиск аналогов электронных компонентов

HYG190C04LA1D4

FET, MOSFET Arrays
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
N管-ID最大漏极电流23A
N管-Id额定电流23A
N管-Vdss漏源电压40V
N管-Vgsth门槛电压3V
P管-ID最大漏极电流16.5A
P管-Id额定电流16.5A
P管-Vdss漏源电压40V
Характеристики по постоянному и переменному току
N管-Rds最大导通阻抗21mΩ
P管-Rds最大导通阻抗40mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO252
Другое
N管-Qg栅极电荷14.3nC
N管-Qg栅极电荷typ14.3nC
N管-Vgs最大值20V
Pd-功率耗散21.4mW
Pd最大耗散功率21.4mW
P管-Qg栅极电荷20.1nC
P管-Qg栅极电荷typ20.1nC
P管-Vgs最大值20V
引脚数量15

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.