HUASHUO(华朔)Китай
HSY012N10
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN沟道快速开关MOSFET，采用先进高单元密度SGT MOS技术，超低导通电阻
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока300 A
Сопротивление в открытом состоянии1.25 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 300A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.