N沟道快速开关MOSFET,采用先进高单元密度SGT MOS技术,超低导通电阻

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流300 A
导通电阻1.25 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流300 A
导通电阻1.25 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)300A
其他
导通电阻(RDS(on))1.25mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

该型号暂未收录资料。