HUASHUO(华朔)Китай
P沟道快速开关MOSFET，具备超低栅极电荷和先进的高单元密度沟槽技术
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока9 A
Сопротивление в открытом состоянии25 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.