HUASHUO(华朔)中国

HSM6105

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道快速开关MOSFET，具备超低栅极电荷和先进的高单元密度沟槽技术

问 AI FAE
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流9 A
导通电阻25 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流9 A
导通电阻25 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9A
其他
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

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