HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
GBU410
Bridge Rectifiers本款高性能整流桥采用GBU封装，专为高效稳定转换设计。具有1000V的高反向电压额定值（VR），在4A电流下正向压降仅为1.1V（VF），有效降低功耗，提升系统效率。其强大而稳定的电流处理能力可达4A（IO），确保设备运行安全可靠。适用于各类高电压、大电流应用场合，是您电路设计的理想选择。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1 kV
Средний выпрямленный ток4 A
Прямое падение напряжения1.1 VМакс. · 4A
| Питание | |
|---|---|
| 整流电流 | 4A |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 150A |
| Другое | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V@4A |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |