HXY MOSFET(华轩阳电子)China

本款高性能整流桥采用GBU封装，专为高效稳定转换设计。具有1000V的高反向电压额定值（VR），在4A电流下正向压降仅为1.1V（VF），有效降低功耗，提升系统效率。其强大而稳定的电流处理能力可达4A（IO），确保设备运行安全可靠。适用于各类高电压、大电流应用场合，是您电路设计的理想选择。