Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单路功率型沟道型MOSFET,采用Trench工艺,适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计,在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8;P—Channel沟道,-20V;-13A;RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.5~-1.2V;

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока13 A
Питание
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)13A
Другое
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)3.5W

Документы