FDS9431A-NL-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流13 A
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流13 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 13A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |