FDP100N10
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FDP100N10

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-220-3

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流75 A
导通电阻10 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流75 A
导通电阻10 mΩ最大 · 75A
阈值电压4.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)208W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
其他
Base Product NumberFDP100
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 75A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

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