Поиск аналогов электронных компонентов
FDB045AN08A0-F085
onsemiСША

FDB045AN08A0-F085

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleD²PAK

MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток75 V
Постоянный ток стока19 A
Сопротивление в открытом состоянии4.5 mΩМакс. · 80A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Power Dissipation (Max)310W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
Другое
Base Product NumberFDB045
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 80A, 10V
SeriesAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы