Rohm SemiconductorЯпония
DTA143EUAFRAT106
Single, Pre-Biased Bipolar TransistorsВсе аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 直流电流增益(hFE) | 30@10mA,5V |
| Другое | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |