TECH PUBLIC(台舟)Китай
内置偏置电阻的PNP数字晶体管，设计简单，几乎完全消除寄生效应
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Другое | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.
内置偏置电阻的PNP数字晶体管，设计简单，几乎完全消除寄生效应
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Другое | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
К этому компоненту пока не привязаны документы.