内置偏置电阻的PNP数字晶体管,设计简单,几乎完全消除寄生效应

问 AI FAE

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
其他
数量1个PNP-预偏置
耗散功率(Pd)200mW

技术资料

该型号暂未收录资料。