Comchip TechnologyТайвань, Китай
MOSFET N-CH 100V 6.6A DFN5X6
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока6.6 A
Сопротивление в открытом состоянии60 mΩМакс. · 3.2A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | DFN5x6 (PR-PAK) |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1325 pF @ 30 V |
| Mfr | Comchip Technology |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.2A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.