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CMS42N10H8-HF

停产单 FET,MOSFETDFN5x6

MOSFET N-CH 100V 6.6A DFN5X6

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流6.6 A
导通电阻60 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流6.6 A
导通电阻60 mΩ最大 · 3.2A
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)3.6W (Ta), 83.3W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackageDFN5x6 (PR-PAK)
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1325 pF @ 30 V
MfrComchip Technology
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.2A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

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