Comchip TechnologyТайвань, Китай
DIODE
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока56 A
Сопротивление в открытом состоянии6.4 mΩМакс. · 25A
Пороговое напряжение2.6 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1619 pF @ 25 V |
| Mfr | Comchip Technology |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 25A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |