HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管具备12A连续漏极电流能力，漏源击穿电压为30V，导通电阻典型值为10毫欧。低导通阻抗特性使其在低压直流回路中能有效降低功率损耗与温升。产品主要应用于便携式设备的电池保护模块、负载开关电路及电源管理单元，适用于对能效和空间布局有严格要求的消费类电子系统，确保供电链路的高效与稳定运行。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Постоянный ток стока12 A
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SOP-8 |
| Другое | |
| ID | 12A |
| RDON | 10mR |
| TYPE | P沟道 |
| VDSS | 30V |