HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管具备12A连续漏极电流能力，漏源击穿电压为30V，导通电阻典型值为10毫欧。低导通阻抗特性使其在低压直流回路中能有效降低功率损耗与温升。产品主要应用于便携式设备的电池保护模块、负载开关电路及电源管理单元，适用于对能效和空间布局有严格要求的消费类电子系统，确保供电链路的高效与稳定运行。