VBsemi(微碧半导体)Китай
BSP317P-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款具有多种特性和应用领域的单P型Trench技术的场效晶体管，适用于多种领域和模块。SOT223；P—Channel沟道,-200V；-2A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5~-4.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока3 A
Сопротивление в открытом состоянии2 ΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |