BSP317P-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款具有多种特性和应用领域的单P型Trench技术的场效晶体管，适用于多种领域和模块。SOT223；P—Channel沟道,-200V；-2A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5~-4.5V；
沟道P 沟道
耐压200 V
连续漏极电流3 A
导通电阻2 Ω
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道P 沟道
耐压200 V
连续漏极电流3 A
导通电阻2 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |