VBsemi(微碧半导体)Китай
AP1333GU-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench工艺制造，适合于空间有限的应用场合。SC70-3；P—Channel沟道,-20V；-3.1A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~-1.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока2.1 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A |
| Другое | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |