AP1333GU-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench工艺制造，适合于空间有限的应用场合。SC70-3；P—Channel沟道,-20V；-3.1A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~-1.5V；
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.1 A
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流2.1 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |