Goford SemiconductorТайвань, Китай
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока9 A
Сопротивление в открытом состоянии250 mΩМакс. · 1A
Пороговое напряжение2.2 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 509 pF @ 25 V |
| Mfr | Goford Semiconductor |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Series | TrenchFET® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |