Results forDSC10A065

Silicon Carbide Schottky Diode

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.38V，表现出优异的导通性能与转换效率。其基于碳化硅材料的特性，具有快速开关速度和较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电力转换场景。器件耐高温性能良好，有助于简化散热设计，常用于开关电源、光伏逆变系统及高压直流电源模块中，提升整体能效与系统可靠性。

SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.37V。基于碳化硅材料，具有优异的高温工作能力与高导热性能，反向漏电流低，开关速度快，反向恢复时间极短。适用于高效率、高功率密度的电力转换系统，如高性能电源适配器、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高频率DC-AC和DC-DC转换电路，有助于提升系统能效，减小散热设计复杂度，适应严苛的电气与热环境要求。

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压为650V，典型正向压降为1.37V，并能承受高达80A的非重复浪涌正向电流。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下展现出低导通损耗与快速恢复能力，适用于高效率、高功率密度的电源系统，如通信设备电源、服务器供电模块及各类开关电源中的整流应用，有助于提升系统整体能效与热管理性能。