HXY MOSFET(华轩阳电子)China
DSC10A065LP-13-HXY
Single Diodes该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为10A,反向重复峰值电压为650V,典型正向压降为1.37V,并能承受高达80A的非重复浪涌正向电流。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下展现出低导通损耗与快速恢复能力,适用于高效率、高功率密度的电源系统,如通信设备电源、服务器供电模块及各类开关电源中的整流应用,有助于提升系统整体能效与热管理性能。
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Key specs
Reverse voltage650 V
Average rectified current10 A
Forward voltage1.37 VMax · 10A
| Power | |
|---|---|
| 整流电流 | 10A |
| Other | |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.37V@10A |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |