HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.38V，表现出优异的导通性能与转换效率。其基于碳化硅材料的特性，具有快速开关速度和较低的反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的电力转换场景。器件耐高温性能良好，有助于简化散热设计，常用于开关电源、光伏逆变系统及高压直流电源模块中，提升整体能效与系统可靠性。