Results forDSC04C065

Silicon Carbide Schottky Diode

Silicon Carbide Schottky Diode

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.53V。器件利用碳化硅材料特性，实现快速开关响应与高工作温度耐受能力，反向漏电流低，有助于提升系统转换效率并减少散热负担。其独立封装结构便于集成于各类高密度电源架构中，适用于对能效和功率密度要求较高的交流-直流与直流-直流转换场合，满足高频、高可靠性电力转换应用的技术需求。

SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复耐压（VR）达650V，具备良好的电压承受能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，该二极管表现出优异的高温稳定性与快速开关性能，反向恢复电荷极小，有助于减少系统开关损耗。适用于高效率开关电源、直流变换模块、光伏逆变单元及高功率密度电源系统，适合对热管理与能效要求较高的应用场景。