HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为4A，反向重复耐压（VR）达650V，具备良好的电压承受能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在同类器件中具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，该二极管表现出优异的高温稳定性与快速开关性能，反向恢复电荷极小，有助于减少系统开关损耗。适用于高效率开关电源、直流变换模块、光伏逆变单元及高功率密度电源系统，适合对热管理与能效要求较高的应用场景。