搜索结果:TPS1120DR
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产品搜索结果共 3 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | 这款P+P型场效应管提供4A的电流承载能力及20V的最大工作电压,适用于非工业领域。其内阻典型值为85mΩ,有助于降低能量损耗。12V的VGS阈值电压确保了在多种应用中的稳定性能。该元件非常适合用于消费电子产品的电源管理、高效能转换电路以及便携式设备中,确保了在这些应用场景中的卓越表现和可靠性。 | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款双通道功率场效应管,采用Trench工艺,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8;2个P—Channel沟道,-30V;-7.3A;RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V; | 数据手册1 | 查看详情 |
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