TPS1120DR

TPS1120DR

在产单 FET,MOSFETSOP-8

这款P+P型场效应管提供4A的电流承载能力及20V的最大工作电压,适用于非工业领域。其内阻典型值为85mΩ,有助于降低能量损耗。12V的VGS阈值电压确保了在多种应用中的稳定性能。该元件非常适合用于消费电子产品的电源管理、高效能转换电路以及便携式设备中,确保了在这些应用场景中的卓越表现和可靠性。

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连续漏极电流4 A

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技术参数

连续漏极电流4 A
环境与封装
封装SOP-8
其他
ID4A
RDON85mR
TYPEP+P沟道
VDSS20V
VGS12V

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