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MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

该N沟道场效应管最大漏极电流为30A，漏源击穿电压为100V，导通电阻为37毫欧，栅源电压耐受值为20V。器件在中等电流应用中表现稳定，适用于各类电源适配器、电动工具控制板及消费类电子设备的功率开关电路。其参数配置有助于平衡导通损耗与开关速度，满足一般直流负载驱动需求，为系统设计提供可靠的功率管理方案。

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计，实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。