STD26NF10

STD26NF10

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-252-3

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流25 A
导通电阻38 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流25 A
导通电阻38 mΩ最大 · 12.5A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)100W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
其他
Base Product NumberSTD26
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1550 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 12.5A, 10V
SeriesSTripFET™ II
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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