HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

该N沟道场效应管最大漏极电流为30A，漏源击穿电压为100V，导通电阻为37毫欧，栅源电压耐受值为20V。器件在中等电流应用中表现稳定，适用于各类电源适配器、电动工具控制板及消费类电子设备的功率开关电路。其参数配置有助于平衡导通损耗与开关速度，满足一般直流负载驱动需求，为系统设计提供可靠的功率管理方案。