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IRFZ44NS is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 55 V, RDS (on) max: 17.5 mOhm, Package: D2PAK (TO-263), Technology: IR MOSFET™, ID max: 49 A

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

HEXFET POWER MOSFET

这款N型场效应管具备49A的电流承载能力，能在55V电压下稳定工作。其内阻典型值为9mΩ，VGS为20V。适用于高效能电子系统，如数据中心、通信基础设施及高性能计算设备，确保系统稳定运行，提升能效。

N沟道,60V,60A,12mΩ 10V 10A 87W 采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备49A的连续排水电流（ID/A），能够承受高达55V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为9毫欧（mΩ），有助于降低功耗，在高负载条件下依然保持高效能。该器件支持最大±20V的栅源电压（VGS/V），增强了操作灵活性。适用于消费电子产品中的电源转换与管理，以及便携设备中的负载开关等功能。

HEXFET POWER MOSFET

台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。