HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备49A的连续排水电流（ID/A），能够承受高达55V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为9毫欧（mΩ），有助于降低功耗，在高负载条件下依然保持高效能。该器件支持最大±20V的栅源电压（VGS/V），增强了操作灵活性。适用于消费电子产品中的电源转换与管理，以及便携设备中的负载开关等功能。