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IC MOSFET P-CH 60V 19A D2PAK

IC MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，具有多种特性和应用领域，是一款功能强大且多用途的器件，可广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。

P沟道 耐压:-55V 电流:-35A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-55V 连续漏极电流(Id):-35A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,17.5A