IRF9Z34NS-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，具有多种特性和应用领域，是一款功能强大且多用途的器件，可广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻48 mΩ
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻48 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 35A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V,35A |
| 数量 | 1个P沟道 |