IRF9Z34NSTRLPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=64mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻77 mΩ
阈值电压3 V
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耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻77 mΩ最大 · 4.5V
阈值电压3 V最大 · 250uA
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@4.5V |