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MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

【联系：sales@hxymos.com】这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计，在10V栅极驱动下，其导通电阻低至3.3mΩ，能有效降低大电流传输时的能量损耗与器件发热。它可承载30A的连续漏极电流，并能耐受最高30V的漏源电压，适用于各类3.3V、5V及12V供电的电子设备。 凭借出色的开关性能，它在DC-DC转换器中作为主开关管，能显著提升电源转换效率。在电池管理系统中，它可用作充放电保护开关，实现快速、可靠的电流控制。此外，其低导通损耗特性也使其成为驱动各类小型电机和LED负载的理想选择，有助于实现电路的小型化与高能效。

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计，在30V耐压下可承载30A连续电流，其3.3mΩ的极低导通电阻有效抑制了工作时的热量产生。20V的栅极驱动范围使其能灵活适配各类控制电路。凭借出色的开关性能，它非常适用于笔记本电脑主板的供电模块、便携式设备的电池保护电路以及各类紧凑型DC-DC转换器，在有限空间内实现稳定、高效的电能转换。

IRF7832ZTRPBF-TP

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；