台积电流片,长电科技封装;是一款单路N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8;N—Channel沟道,30V;18A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流18 A
导通电阻5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流18 A
导通电阻5 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)18A
其他
导通电阻(RDS(on))5mΩ@4.5V,10A
数量1个N沟道

技术资料