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P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC

FDS9431A 型号MOS管基于高级P沟道技术制造，采用紧凑型SOP-8封装规格，专为现代电子设备的小型化及高效能需求而生。在30V额定电压VDSS条件下，该器件能安全处理5A连续漏极电流ID，并具有超低的43mR导通电阻RD(on)，确保高效节能运行。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是提升系统性能和节能效果的理想半导体组件。

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET,