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MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

FDS6675BZ P沟道MOSFET采用SOP-8封装工艺，专为高效能、大电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能持续承载高达12A的大电流，其突出优势在于仅有10mΩ的导通电阻，确保在高功率状态下也能展现出卓越的能效表现。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等领域，以强大的电流处理能力和绝佳的电气性能，为您的电路设计提供强有力的支持。

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；