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FDS6675BZ

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单8-SOIC

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11 A
导通电阻13 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11 A
导通电阻13 mΩ最大 · 11A
阈值电压3 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
其他
Base Product NumberFDS6675
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2470 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 11A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

技术资料