FDS6675BZ-NL-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8.7 A
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8.7 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |