7P20G-TN3-R-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO252；P—Channel沟道,-200V；-8.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款采用Trench技术是一款单通道功率场效应晶体管，适用于需要高耐压、高效率的电源模块和驱动模块。
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TO252；P—Channel沟道,-200V；-8.5A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；是一款采用Trench技术是一款单通道功率场效应晶体管，适用于需要高耐压、高效率的电源模块和驱动模块。
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