HL(富海微)中国

7P20

晶体管 - FET，MOSFET - 单

工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-200，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):645，连续漏极电流ID(A):-7A

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耐压200 V
连续漏极电流7 A
导通电阻838 mΩ

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技术参数

耐压200 V
连续漏极电流7 A
导通电阻838 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)7A
其他
导通电阻(RDS(on))838mΩ@10V
耗散功率(Pd)37.8W

技术资料

数据手册数据手册 · 447.9 KB · 2026-09-21
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