SUPSiC(国晶微半导体)

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固态继电器

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单二极管

总电容电荷(Qc):158nC 总功率(Ptot):725W

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单 FET,MOSFET

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单二极管

国晶微半导体 GC6D08065A — SiC 碳化硅肖特基二极管

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单二极管

国晶微半导体 GC6D06065A — SiC 碳化硅肖特基二极管

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单二极管

国晶微半导体 GC4D16120A — SiC 碳化硅肖特基二极管

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单 FET,MOSFET

国晶微半导体 GC3M0350120D — SiC 碳化硅 MOSFET

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单二极管

国晶微半导体 GC3D10170A — SiC 碳化硅肖特基二极管

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单二极管

国晶微半导体 GC3D10065A — SiC 碳化硅肖特基二极管

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信号开关,多路复用器,解码器

国晶微半导体 GAQY412GS — 光耦继电器

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信号开关,多路复用器,解码器

国晶微半导体 GAQY274A — 光耦继电器

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信号开关,多路复用器,解码器

国晶微半导体 GAQY222EH — 光耦继电器

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信号开关,多路复用器,解码器

国晶微半导体 GAQY217EH — 光耦继电器

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信号开关,多路复用器,解码器

国晶微半导体 GAQY217E — 光耦继电器

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